Заполнитель

Транзистор IRFI4212H-117P, 2Nкан 100В 11А TO220FP

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

206,00 руб.

x 206,00 = 206,00
Артикул: 1127168 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней206,00руб.191,58руб.185,40руб.181,28руб.175,10руб.164,80руб.160,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней387,28руб.356,38руб.350,20руб.341,96руб.329,60руб.311,06руб.302,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней393,46руб.362,56руб.354,32руб.346,08руб.329,60руб.313,12руб.306,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней247,20руб.226,60руб.222,48руб.216,30руб.210,12руб.197,76руб.191,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней358,44руб.329,60руб.321,36руб.315,18руб.304,88руб.286,34руб.278,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней224,54руб.208,06руб.201,88руб.197,76руб.191,58руб.179,22руб.175,10руб.

Характеристики

IRFI4212H-117P, 2Nкан 100В 11А TO220FPThe IRFI4212H-117P is a HEXFET® dual N-channel Power MOSFET designed for class-D audio amplifier applications. It consists of two power MOSFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. These combine to make this half-bridge a highly efficient, robust and reliable device. It can delivery up to 150W per channel into 4R load in half-bridge configuration amplifier.

• Reduces the part count by half
• Facilitates better PCB layout
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low Qrr for better THD and lower EMI

Дополнительная информация

Корпус

to220fp-5
Структура

2n-канала