14

Транзистор IRFHS9301TRPBF, Pкан -30В -8.5А 37мОм PQFN2x2

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

54,00 руб.

x 54,00 = 54,00
Артикул: 1128102 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней54,00руб.50,22руб.48,60руб.47,52руб.44,28руб.43,20руб.42,12руб.38,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней97,74руб.89,64руб.88,02руб.85,86руб.79,92руб.78,30руб.76,14руб.68,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней126,36руб.116,64руб.113,94руб.111,24руб.103,68руб.100,98руб.98,82руб.88,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней64,80руб.59,40руб.58,32руб.56,70руб.52,92руб.51,84руб.50,22руб.45,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней124,74руб.115,02руб.112,32руб.109,62руб.106,38руб.102,60руб.97,20руб.87,48руб.

Характеристики

IRFHS9301TRPBF, Pкан -30В -8.5А 37мОм PQFN2x2P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус

PQFN2x2
Структура

P-канал