60

IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

45,00 руб.

x 45,00 = 45,00
Артикул: 1126710 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней45,00руб.41,85руб.40,50руб.39,60руб.36,90руб.36,00руб.35,10руб.32,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней81,45руб.74,70руб.73,35руб.71,55руб.66,60руб.65,25руб.63,45руб.57,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней105,30руб.97,20руб.94,95руб.92,70руб.86,40руб.84,15руб.82,35руб.73,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней54,00руб.49,50руб.48,60руб.47,25руб.44,10руб.43,20руб.41,85руб.37,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней103,95руб.95,85руб.93,60руб.91,35руб.88,65руб.85,50руб.81,00руб.72,90руб.

Характеристики

IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Дополнительная информация

Корпус

hd-1
Структура

n-канал