60

IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

23,00 руб.

x 23,00 = 23,00
Артикул: 1126706 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней23,00руб.21,39руб.20,70руб.20,24руб.18,86руб.18,40руб.17,94руб.16,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней41,63руб.38,18руб.37,49руб.36,57руб.34,04руб.33,35руб.32,43руб.29,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней53,82руб.49,68руб.48,53руб.47,38руб.44,16руб.43,01руб.42,09руб.37,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней27,60руб.25,30руб.24,84руб.24,15руб.22,54руб.22,08руб.21,39руб.19,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней53,13руб.48,99руб.47,84руб.46,69руб.45,31руб.43,70руб.41,40руб.37,26руб.

Характеристики

IRFD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD1]The IRFD110PBF is a N-channel Power MOSFET with combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Automatic insertion
• End stackable
• 175 C Operating temperature
• Fast switching and ease of paralleling

Дополнительная информация

Корпус

hd-1
Структура

n-канал