IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

49,00 руб.

Артикул: 1126703 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	49,00руб.	45,57руб.	44,10руб.	43,12руб.	40,18руб.	39,20руб.	38,22руб.	35,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	88,69руб.	81,34руб.	79,87руб.	77,91руб.	72,52руб.	71,05руб.	69,09руб.	62,23руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	114,66руб.	105,84руб.	103,39руб.	100,94руб.	94,08руб.	91,63руб.	89,67руб.	80,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	58,80руб.	53,90руб.	52,92руб.	51,45руб.	48,02руб.	47,04руб.	45,57руб.	41,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	113,19руб.	104,37руб.	101,92руб.	99,47руб.	96,53руб.	93,10руб.	88,20руб.	79,38руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]The IRFBG30PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• 175 C Operating Temperature

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал