Заполнитель

Транзистор IRFBC30APBF

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

92,00 руб.

x 92,00 = 92,00
Артикул: 1128095 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней92,00руб.85,56руб.82,80руб.80,96руб.75,44руб.73,60руб.71,76руб.66,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней166,52руб.152,72руб.149,96руб.146,28руб.136,16руб.133,40руб.129,72руб.116,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней215,28руб.198,72руб.194,12руб.189,52руб.176,64руб.172,04руб.168,36руб.150,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней110,40руб.101,20руб.99,36руб.96,60руб.90,16руб.88,32руб.85,56руб.77,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней212,52руб.195,96руб.191,36руб.186,76руб.181,24руб.174,80руб.165,60руб.149,04руб.

Характеристики

IRFBC30APBFThe IRFBC30APBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.

• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Effective COSS specified

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А