IRFB9N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 9.2А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

87,00 руб.

Артикул: 1126695 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	87,00руб.	80,91руб.	78,30руб.	76,56руб.	71,34руб.	69,60руб.	67,86руб.	62,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	157,47руб.	144,42руб.	141,81руб.	138,33руб.	128,76руб.	126,15руб.	122,67руб.	110,49руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	203,58руб.	187,92руб.	183,57руб.	179,22руб.	167,04руб.	162,69руб.	159,21руб.	142,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	104,40руб.	95,70руб.	93,96руб.	91,35руб.	85,26руб.	83,52руб.	80,91руб.	73,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	200,97руб.	185,31руб.	180,96руб.	176,61руб.	171,39руб.	165,30руб.	156,60руб.	140,94руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB9N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 9.2А [TO-220AB]The IRFB9N60APBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.

• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал