IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

48,00 руб.

Артикул: 1126099 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	48,00руб.	44,64руб.	43,20руб.	42,24руб.	39,36руб.	38,40руб.	37,44руб.	34,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	86,88руб.	79,68руб.	78,24руб.	76,32руб.	71,04руб.	69,60руб.	67,68руб.	60,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	112,32руб.	103,68руб.	101,28руб.	98,88руб.	92,16руб.	89,76руб.	87,84руб.	78,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	57,60руб.	52,80руб.	51,84руб.	50,40руб.	47,04руб.	46,08руб.	44,64руб.	40,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	110,88руб.	102,24руб.	99,84руб.	97,44руб.	94,56руб.	91,20руб.	86,40руб.	77,76руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB7545PBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал, 60В The IRFB7545PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал