Заполнитель

IRFB5620PBF, Транзистор, Nкан 200В 25А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

211,00 руб.

x 211,00 = 211,00
Артикул: 1127111 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней211,00руб.196,23руб.189,90руб.185,68руб.179,35руб.168,80руб.164,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней396,68руб.365,03руб.358,70руб.350,26руб.337,60руб.318,61руб.310,17руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней403,01руб.371,36руб.362,92руб.354,48руб.337,60руб.320,72руб.314,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней253,20руб.232,10руб.227,88руб.221,55руб.215,22руб.202,56руб.196,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней367,14руб.337,60руб.329,16руб.322,83руб.312,28руб.293,29руб.284,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней229,99руб.213,11руб.206,78руб.202,56руб.196,23руб.183,57руб.179,35руб.

Характеристики

IRFB5620PBF, Транзистор, Nкан 200В 25А TO220ABThe IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175 C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI

Дополнительная информация

Структура

n-канал