Транзистор IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

300,00 руб.

Артикул: 1128085 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	300,00руб.	279,00руб.	270,00руб.	264,00руб.	255,00руб.	240,00руб.	234,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	564,00руб.	519,00руб.	510,00руб.	498,00руб.	480,00руб.	453,00руб.	441,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	573,00руб.	528,00руб.	516,00руб.	504,00руб.	480,00руб.	456,00руб.	447,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	360,00руб.	330,00руб.	324,00руб.	315,00руб.	306,00руб.	288,00руб.	279,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	522,00руб.	480,00руб.	468,00руб.	459,00руб.	444,00руб.	417,00руб.	405,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	327,00руб.	303,00руб.	294,00руб.	288,00руб.	279,00руб.	261,00руб.	255,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB3207PBF, Nкан 75В 180А TO220ABThe IRFB3207PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Fast switching

Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус	TO220AB
Структура	N-канал