16

IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

27,00 руб.

x 27,00 = 27,00
Артикул: 1126058 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней27,00руб.25,11руб.24,30руб.23,76руб.22,14руб.21,60руб.21,06руб.19,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней48,87руб.44,82руб.44,01руб.42,93руб.39,96руб.39,15руб.38,07руб.34,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней63,18руб.58,32руб.56,97руб.55,62руб.51,84руб.50,49руб.49,41руб.44,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней32,40руб.29,70руб.29,16руб.28,35руб.26,46руб.25,92руб.25,11руб.22,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней62,37руб.57,51руб.56,16руб.54,81руб.53,19руб.51,30руб.48,60руб.43,74руб.

Характеристики

IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB]The IRF9Z24NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175 C Operating temperature

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

p-канал