Заполнитель

IRF9510PBF, Транзистор, P-канал 100В 4А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

29,00 руб.

x 29,00 = 29,00
Артикул: 1126681 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней29,00руб.26,97руб.26,10руб.25,52руб.23,78руб.23,20руб.22,62руб.20,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней52,49руб.48,14руб.47,27руб.46,11руб.42,92руб.42,05руб.40,89руб.36,83руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней67,86руб.62,64руб.61,19руб.59,74руб.55,68руб.54,23руб.53,07руб.47,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней34,80руб.31,90руб.31,32руб.30,45руб.28,42руб.27,84руб.26,97руб.24,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней66,99руб.61,77руб.60,32руб.58,87руб.57,13руб.55,10руб.52,20руб.46,98руб.

Характеристики

IRF9510PBF, Транзистор, P-канал 100В 4А [TO-220AB]The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• -55 to 175 C Operating temperature range
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

p-канал