IRF7862PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А, [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

36,00 руб.

Артикул: 1126023 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	36,00руб.	33,48руб.	32,40руб.	31,68руб.	29,52руб.	28,80руб.	28,08руб.	25,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	65,16руб.	59,76руб.	58,68руб.	57,24руб.	53,28руб.	52,20руб.	50,76руб.	45,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	84,24руб.	77,76руб.	75,96руб.	74,16руб.	69,12руб.	67,32руб.	65,88руб.	59,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	43,20руб.	39,60руб.	38,88руб.	37,80руб.	35,28руб.	34,56руб.	33,48руб.	30,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	83,16руб.	76,68руб.	74,88руб.	73,08руб.	70,92руб.	68,40руб.	64,80руб.	58,32руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7862PBF, Транзистор, N-канал 30В 21А, [SO-8]The IRF7862PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for battery protection, high side and low side load switch, notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 100% Rg tested
• 20V VGS Maximum gate rating

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	n-канал