IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

48,00 руб.

Артикул: 1126020 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	48,00руб.	44,64руб.	43,20руб.	42,24руб.	39,36руб.	38,40руб.	37,44руб.	34,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	86,88руб.	79,68руб.	78,24руб.	76,32руб.	71,04руб.	69,60руб.	67,68руб.	60,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	112,32руб.	103,68руб.	101,28руб.	98,88руб.	92,16руб.	89,76руб.	87,84руб.	78,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	57,60руб.	52,80руб.	51,84руб.	50,40руб.	47,04руб.	46,08руб.	44,64руб.	40,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	110,88руб.	102,24руб.	99,84руб.	97,44руб.	94,56руб.	91,20руб.	86,40руб.	77,76руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7853PBF, Транзистор, N-канал 100В 8.3А [SO-8]N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	n-канал