IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

65,00 руб.

Артикул: 1126018 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	65,00руб.	60,45руб.	58,50руб.	57,20руб.	53,30руб.	52,00руб.	50,70руб.	46,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	117,65руб.	107,90руб.	105,95руб.	103,35руб.	96,20руб.	94,25руб.	91,65руб.	82,55руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	152,10руб.	140,40руб.	137,15руб.	133,90руб.	124,80руб.	121,55руб.	118,95руб.	106,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	78,00руб.	71,50руб.	70,20руб.	68,25руб.	63,70руб.	62,40руб.	60,45руб.	54,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	150,15руб.	138,45руб.	135,20руб.	131,95руб.	128,05руб.	123,50руб.	117,00руб.	105,30руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7832PBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [SO-8]The IRF7832PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.

• Ultra-low gate impedance
• Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
• 100% Rg tested
• 20V VGS Maximum gate rating

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	n-канал