IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

37,00 руб.

Артикул: 1125976 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	37,00руб.	34,41руб.	33,30руб.	32,56руб.	30,34руб.	29,60руб.	28,86руб.	26,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	66,97руб.	61,42руб.	60,31руб.	58,83руб.	54,76руб.	53,65руб.	52,17руб.	46,99руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	86,58руб.	79,92руб.	78,07руб.	76,22руб.	71,04руб.	69,19руб.	67,71руб.	60,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	44,40руб.	40,70руб.	39,96руб.	38,85руб.	36,26руб.	35,52руб.	34,41руб.	31,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	85,47руб.	78,81руб.	76,96руб.	75,11руб.	72,89руб.	70,30руб.	66,60руб.	59,94руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7328PBF, Транзистор, 2P-канала 30В 8.0А [SO-8]The IRF7328PBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Trench technology
• Ultra low ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус	so8
Структура	p-канал