2

IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

46,00 руб.

x 46,00 = 46,00
Артикул: 1125975 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней46,00руб.42,78руб.41,40руб.40,48руб.37,72руб.36,80руб.35,88руб.33,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней83,26руб.76,36руб.74,98руб.73,14руб.68,08руб.66,70руб.64,86руб.58,42руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней107,64руб.99,36руб.97,06руб.94,76руб.88,32руб.86,02руб.84,18руб.75,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней55,20руб.50,60руб.49,68руб.48,30руб.45,08руб.44,16руб.42,78руб.38,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней106,26руб.97,98руб.95,68руб.93,38руб.90,62руб.87,40руб.82,80руб.74,52руб.

Характеристики

IRF7324PBF, Транзистор, 2P-канала 20В 9.0А [SO-8]The IRF7324PBF is a -20V dual P-channel new trench HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.

• Trench technology
• Ultra low on-resistance
• Dual P-channel MOSFET
• Low profile (

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2p-канала