2

Транзистор IRF7301TRPBF

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

46,00 руб.

x 46,00 = 46,00
Артикул: 1128030 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней46,00руб.42,78руб.41,40руб.40,48руб.37,72руб.36,80руб.35,88руб.33,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней83,26руб.76,36руб.74,98руб.73,14руб.68,08руб.66,70руб.64,86руб.58,42руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней107,64руб.99,36руб.97,06руб.94,76руб.88,32руб.86,02руб.84,18руб.75,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней55,20руб.50,60руб.49,68руб.48,30руб.45,08руб.44,16руб.42,78руб.38,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней106,26руб.97,98руб.95,68руб.93,38руб.90,62руб.87,40руб.82,80руб.74,52руб.

Характеристики

IRF7301TRPBFThe IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: 8-SO, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А