IRF7104TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

72,00 руб.

Артикул: 1131769 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	72,00руб.	66,96руб.	64,80руб.	63,36руб.	59,04руб.	57,60руб.	56,16руб.	51,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	130,32руб.	119,52руб.	117,36руб.	114,48руб.	106,56руб.	104,40руб.	101,52руб.	91,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	168,48руб.	155,52руб.	151,92руб.	148,32руб.	138,24руб.	134,64руб.	131,76руб.	118,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	86,40руб.	79,20руб.	77,76руб.	75,60руб.	70,56руб.	69,12руб.	66,96руб.	60,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	166,32руб.	153,36руб.	149,76руб.	146,16руб.	141,84руб.	136,80руб.	129,60руб.	116,64руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7104TRPBF, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	-2.3А