Заполнитель

IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

42,00 руб.

x 42,00 = 42,00
Артикул: 1125918 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней42,00руб.39,06руб.37,80руб.36,96руб.34,44руб.33,60руб.32,76руб.30,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней76,02руб.69,72руб.68,46руб.66,78руб.62,16руб.60,90руб.59,22руб.53,34руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней98,28руб.90,72руб.88,62руб.86,52руб.80,64руб.78,54руб.76,86руб.68,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней50,40руб.46,20руб.45,36руб.44,10руб.41,16руб.40,32руб.39,06руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней97,02руб.89,46руб.87,36руб.85,26руб.82,74руб.79,80руб.75,60руб.68,04руб.

Характеристики

IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]The IRF630NSPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Дополнительная информация

Корпус

d2pak
Структура

n-канал