Заполнитель

IRF620PBF, Транзистор, N-канал 200В 5.2А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

33,00 руб.

x 33,00 = 33,00
Артикул: 1126662 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней33,00руб.30,69руб.29,70руб.29,04руб.27,06руб.26,40руб.25,74руб.23,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней59,73руб.54,78руб.53,79руб.52,47руб.48,84руб.47,85руб.46,53руб.41,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней77,22руб.71,28руб.69,63руб.67,98руб.63,36руб.61,71руб.60,39руб.54,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней39,60руб.36,30руб.35,64руб.34,65руб.32,34руб.31,68руб.30,69руб.27,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней76,23руб.70,29руб.68,64руб.66,99руб.65,01руб.62,70руб.59,40руб.53,46руб.

Характеристики

IRF620PBF, Транзистор, N-канал 200В 5.2А [TO-220AB]The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал