тик

Транзистор IRF1404ZPBF, Nкан 40В 190А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

175,00 руб.

x 175,00 = 175,00
Артикул: 1127023 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней175,00руб.162,75руб.157,50руб.154,00руб.148,75руб.140,00руб.136,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней329,00руб.302,75руб.297,50руб.290,50руб.280,00руб.264,25руб.257,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней334,25руб.308,00руб.301,00руб.294,00руб.280,00руб.266,00руб.260,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней210,00руб.192,50руб.189,00руб.183,75руб.178,50руб.168,00руб.162,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней304,50руб.280,00руб.273,00руб.267,75руб.259,00руб.243,25руб.236,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней190,75руб.176,75руб.171,50руб.168,00руб.162,75руб.152,25руб.148,75руб.

Характеристики

IRF1404ZPBF, Nкан 40В 190А TO220ABThe IRF1404ZPBF is a 40V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175 C Operating temperature

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал