IPG20N06S4L26ATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

89,00 руб.

Артикул: 1131766 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	89,00руб.	82,77руб.	80,10руб.	78,32руб.	72,98руб.	71,20руб.	69,42руб.	64,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	161,09руб.	147,74руб.	145,07руб.	141,51руб.	131,72руб.	129,05руб.	125,49руб.	113,03руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	208,26руб.	192,24руб.	187,79руб.	183,34руб.	170,88руб.	166,43руб.	162,87руб.	145,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	106,80руб.	97,90руб.	96,12руб.	93,45руб.	87,22руб.	85,44руб.	82,77руб.	74,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	205,59руб.	189,57руб.	185,12руб.	180,67руб.	175,33руб.	169,10руб.	160,20руб.	144,18руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IPG20N06S4L26ATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.

• Logic level
• Green device
• 100% Avalanche tested
• Larger source lead-frame connection for wire bonding
• Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
• Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TDSON
Рассеиваемая Мощность	33Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	20А