a74586aaecdc39bc84a7505581390cd5

IGB50N65H5ATMA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.65 В, 270 Вт

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

380,00 руб.

x 380,00 = 380,00
Артикул: 1136131 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней380,00руб.353,40руб.342,00руб.334,40руб.323,00руб.304,00руб.296,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней714,40руб.657,40руб.646,00руб.630,80руб.608,00руб.573,80руб.558,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней725,80руб.668,80руб.653,60руб.638,40руб.608,00руб.577,60руб.566,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней456,00руб.418,00руб.410,40руб.399,00руб.387,60руб.364,80руб.353,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней661,20руб.608,00руб.592,80руб.581,40руб.562,40руб.528,20руб.513,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней414,20руб.383,80руб.372,40руб.364,80руб.353,40руб.330,60руб.323,00руб.

Характеристики

IGB50N65H5ATMA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.65 В, 270 Вт Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

270Вт
DC Ток Коллектора

80А