05d702bbaa83bce964dbef7f62a0775e

Транзистор HUF75344P3, 75A/55V 8 mOm N-

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

196,00 руб.

x 196,00 = 196,00
Артикул: 1127507 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней196,00руб.182,28руб.176,40руб.172,48руб.166,60руб.156,80руб.152,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней368,48руб.339,08руб.333,20руб.325,36руб.313,60руб.295,96руб.288,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней374,36руб.344,96руб.337,12руб.329,28руб.313,60руб.297,92руб.292,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней235,20руб.215,60руб.211,68руб.205,80руб.199,92руб.188,16руб.182,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней341,04руб.313,60руб.305,76руб.299,88руб.290,08руб.272,44руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней213,64руб.197,96руб.192,08руб.188,16руб.182,28руб.170,52руб.166,60руб.

Характеристики

HUF75344P3, 75A/55V 8 mOm N- UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал