6b5fbc2f9d147f20d88340573bf8f355

HGTP12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

420,00 руб.

x 420,00 = 420,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней420,00руб.390,60руб.378,00руб.369,60руб.357,00руб.336,00руб.327,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней789,60руб.726,60руб.714,00руб.697,20руб.672,00руб.634,20руб.617,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней802,20руб.739,20руб.722,40руб.705,60руб.672,00руб.638,40руб.625,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней504,00руб.462,00руб.453,60руб.441,00руб.428,40руб.403,20руб.390,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней730,80руб.672,00руб.655,20руб.642,60руб.621,60руб.583,80руб.567,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней457,80руб.424,20руб.411,60руб.403,20руб.390,60руб.365,40руб.357,00руб.

Характеристики

HGTP12N60A4D, БТИЗ транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В The HGTP12N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 70ns at TJ = 125 C Fall time

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

167Вт

DC Ток Коллектора

54А