Заполнитель

HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

730,00 руб.

x 730,00 = 730,00
Артикул: 1128278 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней730,00руб.678,90руб.657,00руб.642,40руб.620,50руб.584,00руб.569,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.372,40руб.1.262,90руб.1.241,00руб.1.211,80руб.1.168,00руб.1.102,30руб.1.073,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.394,30руб.1.284,80руб.1.255,60руб.1.226,40руб.1.168,00руб.1.109,60руб.1.087,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней876,00руб.803,00руб.788,40руб.766,50руб.744,60руб.700,80руб.678,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.270,20руб.1.168,00руб.1.138,80руб.1.116,90руб.1.080,40руб.1.014,70руб.985,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней795,70руб.737,30руб.715,40руб.700,80руб.678,90руб.635,10руб.620,50руб.

Характеристики

HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]The HGTG40N60B3 is a N-channel PT IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as drivers for solenoids, relays and contactors. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150 C.

• Short-circuit rating
• 100ns Fall time @ TJ = 150 C
• 290W Total power dissipation @ TC = 25 C

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал