1b37655ffd5ad8d338de854dd3210604

FQS4903TF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 370 мА

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

140,00 руб.

x 140,00 = 140,00
Артикул: 1131738 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней140,00руб.130,20руб.126,00руб.123,20руб.119,00руб.112,00руб.109,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней263,20руб.242,20руб.238,00руб.232,40руб.224,00руб.211,40руб.205,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней267,40руб.246,40руб.240,80руб.235,20руб.224,00руб.212,80руб.208,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней168,00руб.154,00руб.151,20руб.147,00руб.142,80руб.134,40руб.130,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней243,60руб.224,00руб.218,40руб.214,20руб.207,20руб.194,60руб.189,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней152,60руб.141,40руб.137,20руб.134,40руб.130,20руб.121,80руб.119,00руб.

Характеристики

FQS4903TF, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 370 мА The FQS4903TF is a N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. The device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge
• Low Crss (4.5pF)
• 100% Avalanche tested
• ±25V Gate to source voltage
• 0.37A Continuous drain current
• 0.234A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

370мА