FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

50,00 руб.

Артикул: 1126645 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	50,00руб.	46,50руб.	45,00руб.	44,00руб.	41,00руб.	40,00руб.	39,00руб.	36,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	90,50руб.	83,00руб.	81,50руб.	79,50руб.	74,00руб.	72,50руб.	70,50руб.	63,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	117,00руб.	108,00руб.	105,50руб.	103,00руб.	96,00руб.	93,50руб.	91,50руб.	82,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	60,00руб.	55,00руб.	54,00руб.	52,50руб.	49,00руб.	48,00руб.	46,50руб.	42,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	115,50руб.	106,50руб.	104,00руб.	101,50руб.	98,50руб.	95,00руб.	90,00руб.	81,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F]The FQPF7N65C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (28nC)
• Low Crss (12pF)
• 100% avalanche tested

Дополнительная информация

Корпус	to220f
Структура	n-канал