Заполнитель

FQP8N80C, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В, 1.29 Ом, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

210,00 руб.

x 210,00 = 210,00
Артикул: 1132181 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней210,00руб.195,30руб.189,00руб.184,80руб.178,50руб.168,00руб.163,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней394,80руб.363,30руб.357,00руб.348,60руб.336,00руб.317,10руб.308,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней401,10руб.369,60руб.361,20руб.352,80руб.336,00руб.319,20руб.312,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней252,00руб.231,00руб.226,80руб.220,50руб.214,20руб.201,60руб.195,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней365,40руб.336,00руб.327,60руб.321,30руб.310,80руб.291,90руб.283,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней228,90руб.212,10руб.205,80руб.201,60руб.195,30руб.182,70руб.178,50руб.

Характеристики

FQP8N80C, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В, 1.29 Ом, 10 В, 5 ВThe FQP8N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (35nC)
• Low Crss (13pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

178Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

8А