Заполнитель

FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

220,00 руб.

x 220,00 = 220,00
Артикул: 1127493 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней220,00руб.204,60руб.198,00руб.193,60руб.187,00руб.176,00руб.171,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней413,60руб.380,60руб.374,00руб.365,20руб.352,00руб.332,20руб.323,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней420,20руб.387,20руб.378,40руб.369,60руб.352,00руб.334,40руб.327,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней264,00руб.242,00руб.237,60руб.231,00руб.224,40руб.211,20руб.204,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней382,80руб.352,00руб.343,20руб.336,60руб.325,60руб.305,80руб.297,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней239,80руб.222,20руб.215,60руб.211,20руб.204,60руб.191,40руб.187,00руб.

Характеристики

FQP65N06, МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 60 В, 16 мОм, 10 В The FQP65N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175 C Maximum junction temperature rating

Дополнительная информация

Структура

n-канал