Заполнитель

Транзистор FQP13N06L

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

43,00 руб.

x 43,00 = 43,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней43,00руб.39,99руб.38,70руб.37,84руб.35,26руб.34,40руб.33,54руб.30,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней77,83руб.71,38руб.70,09руб.68,37руб.63,64руб.62,35руб.60,63руб.54,61руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней100,62руб.92,88руб.90,73руб.88,58руб.82,56руб.80,41руб.78,69руб.70,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней51,60руб.47,30руб.46,44руб.45,15руб.42,14руб.41,28руб.39,99руб.36,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней99,33руб.91,59руб.89,44руб.87,29руб.84,71руб.81,70руб.77,40руб.69,66руб.

Характеристики

FQP13N06LThe FQP13N06L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 4.8nC Typical low gate charge
• 17pF Typical low Crss

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 13 А, 0.135 Ом, 45 Вт