96772df56519de1006628531f9e0fa21

Транзистор FQP12N60C

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

230,00 руб.

x 230,00 = 230,00
Артикул: 1128879 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней230,00руб.213,90руб.207,00руб.202,40руб.195,50руб.184,00руб.179,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней432,40руб.397,90руб.391,00руб.381,80руб.368,00руб.347,30руб.338,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней439,30руб.404,80руб.395,60руб.386,40руб.368,00руб.349,60руб.342,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней276,00руб.253,00руб.248,40руб.241,50руб.234,60руб.220,80руб.213,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней400,20руб.368,00руб.358,80руб.351,90руб.340,40руб.319,70руб.310,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней250,70руб.232,30руб.225,40руб.220,80руб.213,90руб.200,10руб.195,50руб.

Характеристики

FQP12N60CFQP12N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости