f137911586e777c38293741c575a4b67

Транзистор FQD2N60CTM

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

68,00 руб.

x 68,00 = 68,00
Артикул: 1127981 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней68,00руб.63,24руб.61,20руб.59,84руб.55,76руб.54,40руб.53,04руб.48,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней123,08руб.112,88руб.110,84руб.108,12руб.100,64руб.98,60руб.95,88руб.86,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней159,12руб.146,88руб.143,48руб.140,08руб.130,56руб.127,16руб.124,44руб.111,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней81,60руб.74,80руб.73,44руб.71,40руб.66,64руб.65,28руб.63,24руб.57,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней157,08руб.144,84руб.141,44руб.138,04руб.133,96руб.129,20руб.122,40руб.110,16руб.

Характеристики

FQD2N60CTMThe FQD2N60CTM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (8.5nC)
• Low Crss (4.3pF)
• 100% avalanche tested

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-252-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А, 4.7 Ом, 44 Вт