Заполнитель

FQA8N100C, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 1 кВ, 1.2 Ом, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

430,00 руб.

x 430,00 = 430,00
Артикул: 1132169 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней430,00руб.399,90руб.387,00руб.378,40руб.365,50руб.344,00руб.335,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней808,40руб.743,90руб.731,00руб.713,80руб.688,00руб.649,30руб.632,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней821,30руб.756,80руб.739,60руб.722,40руб.688,00руб.653,60руб.640,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней516,00руб.473,00руб.464,40руб.451,50руб.438,60руб.412,80руб.399,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней748,20руб.688,00руб.670,80руб.657,90руб.636,40руб.597,70руб.580,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней468,70руб.434,30руб.421,40руб.412,80руб.399,90руб.374,10руб.365,50руб.

Характеристики

FQA8N100C, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 1 кВ, 1.2 Ом, 10 В, 5 ВThe FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (53nC)
• Low Crss (16pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-3PN
Рассеиваемая Мощность

225Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

1кВ
Непрерывный Ток Стока

8А