70c4714370740b4909cd7570ccc59bed

Транзистор FDS8858CZ

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

66,00 руб.

x 66,00 = 66,00
Артикул: 1127960 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней66,00руб.61,38руб.59,40руб.58,08руб.54,12руб.52,80руб.51,48руб.47,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней119,46руб.109,56руб.107,58руб.104,94руб.97,68руб.95,70руб.93,06руб.83,82руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней154,44руб.142,56руб.139,26руб.135,96руб.126,72руб.123,42руб.120,78руб.108,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней79,20руб.72,60руб.71,28руб.69,30руб.64,68руб.63,36руб.61,38руб.55,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней152,46руб.140,58руб.137,28руб.133,98руб.130,02руб.125,40руб.118,80руб.106,92руб.

Характеристики

FDS8858CZPowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: 8-SO, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, -7.3 А/8.6 А, 2 Вт