69

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

9,00 руб.

x 9,00 = 9,00
Артикул: 1127469 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней9,00руб.8,37руб.8,10руб.7,92руб.7,38руб.7,20руб.7,02руб.6,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней16,29руб.14,94руб.14,67руб.14,31руб.13,32руб.13,05руб.12,69руб.11,43руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней21,06руб.19,44руб.18,99руб.18,54руб.17,28руб.16,83руб.16,47руб.14,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней10,80руб.9,90руб.9,72руб.9,45руб.8,82руб.8,64руб.8,37руб.7,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней20,79руб.19,17руб.18,72руб.18,27руб.17,73руб.17,10руб.16,20руб.14,58руб.

Характеристики

FDMA291P, Транзистор, PowerTrench, P-канал, -20В The FDMA291P is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2×2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

• Halogen-free

Дополнительная информация

Корпус

microfet 2×2
Структура

p-канал