FDMA1029PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 3.1 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

61,00 руб.

Артикул: 1131704 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	61,00руб.	56,73руб.	54,90руб.	53,68руб.	50,02руб.	48,80руб.	47,58руб.	43,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	110,41руб.	101,26руб.	99,43руб.	96,99руб.	90,28руб.	88,45руб.	86,01руб.	77,47руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	142,74руб.	131,76руб.	128,71руб.	125,66руб.	117,12руб.	114,07руб.	111,63руб.	100,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	73,20руб.	67,10руб.	65,88руб.	64,05руб.	59,78руб.	58,56руб.	56,73руб.	51,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	140,91руб.	129,93руб.	126,88руб.	123,83руб.	120,17руб.	115,90руб.	109,80руб.	98,82руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDMA1029PZ, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 3.1 А The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

• Low profile
• Halogen-free
• ±12V Gate to source voltage
• -3.1A Continuous drain current
• 6A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	uFET
Рассеиваемая Мощность	1.4Вт
Полярность Транзистора	Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	3.1А