7

Транзистор FDC6333C

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

52,00 руб.

x 52,00 = 52,00
Артикул: 1127917 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней52,00руб.48,36руб.46,80руб.45,76руб.42,64руб.41,60руб.40,56руб.37,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней94,12руб.86,32руб.84,76руб.82,68руб.76,96руб.75,40руб.73,32руб.66,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней121,68руб.112,32руб.109,72руб.107,12руб.99,84руб.97,24руб.95,16руб.85,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней62,40руб.57,20руб.56,16руб.54,60руб.50,96руб.49,92руб.48,36руб.43,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней120,12руб.110,76руб.108,16руб.105,56руб.102,44руб.98,80руб.93,60руб.84,24руб.

Характеристики

FDC6333CPowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Корпус: 6-SSOT, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный 30 В, 2.5 А, 0.095 Ом, 0.96W