66

BSD235CH6327XTSA1, Двойной МОП-транзистор, BRT

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

32,00 руб.

x 32,00 = 32,00
Артикул: 1131019 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней32,00руб.29,76руб.28,80руб.28,16руб.26,24руб.25,60руб.24,96руб.23,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней57,92руб.53,12руб.52,16руб.50,88руб.47,36руб.46,40руб.45,12руб.40,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней74,88руб.69,12руб.67,52руб.65,92руб.61,44руб.59,84руб.58,56руб.52,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней38,40руб.35,20руб.34,56руб.33,60руб.31,36руб.30,72руб.29,76руб.26,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней73,92руб.68,16руб.66,56руб.64,96руб.63,04руб.60,80руб.57,60руб.51,84руб.

Характеристики

BSD235CH6327XTSA1, Двойной МОП-транзистор, BRT The BSD235C H6327 is a N/P-channel Power MOSFET within the same package are part of Infineon’s famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is suitable for use with DC to Dc converters and on-board charger applications.

• Complementary P + N channel
• Enhancement-mode
• Avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-363
Рассеиваемая Мощность

500мВт
Полярность Транзистора

N и P Дополнение
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

950мА