39

BFP650H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

45,00 руб.

x 45,00 = 45,00
Артикул: 1130560 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней45,00руб.41,85руб.40,50руб.39,60руб.36,90руб.36,00руб.35,10руб.32,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней81,45руб.74,70руб.73,35руб.71,55руб.66,60руб.65,25руб.63,45руб.57,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней105,30руб.97,20руб.94,95руб.92,70руб.86,40руб.84,15руб.82,35руб.73,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней54,00руб.49,50руб.48,60руб.47,25руб.44,10руб.43,20руб.41,85руб.37,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней103,95руб.95,85руб.93,60руб.91,35руб.88,65руб.85,50руб.81,00руб.72,90руб.

Характеристики

BFP650H6327XTSA1, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 4.5 В The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

• Linear low-noise driver amplifier
• Easy to use
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

4.5В
Рассеиваемая Мощность

500мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

150мА
DC Усиление Тока hFE

100hFE
Корпус РЧ Транзистора

SOT-343
Частота Перехода ft

42ГГц