Характеристики
BDV66B, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 125 Вт, 16 А, 3000 hFEThe BDV66B is a PNP epitaxial base power Darlington Transistor for audio output stages, general purpose amplifier and switching applications.
• NPN complement BDV67B
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы