16

Транзистор AUIRLR3636, Auto Q101 Nкан 60В 99А DPak

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

330,00 руб.

x 330,00 = 330,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней330,00руб.306,90руб.297,00руб.290,40руб.280,50руб.264,00руб.257,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней620,40руб.570,90руб.561,00руб.547,80руб.528,00руб.498,30руб.485,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней630,30руб.580,80руб.567,60руб.554,40руб.528,00руб.501,60руб.491,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней396,00руб.363,00руб.356,40руб.346,50руб.336,60руб.316,80руб.306,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней574,20руб.528,00руб.514,80руб.504,90руб.488,40руб.458,70руб.445,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней359,70руб.333,30руб.323,40руб.316,80руб.306,90руб.287,10руб.280,50руб.

Характеристики

AUIRLR3636, Auto Q101 Nкан 60В 99А DPakThe AUIRLR3636 is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Logic level gate drive
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

n-канал