52н

Транзистор AUIRF7103Q, Auto Q101 2Nкан 50В 3А SO8

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

89,00 руб.

x 89,00 = 89,00
Артикул: 1126983 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней89,00руб.82,77руб.80,10руб.78,32руб.72,98руб.71,20руб.69,42руб.64,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней161,09руб.147,74руб.145,07руб.141,51руб.131,72руб.129,05руб.125,49руб.113,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней208,26руб.192,24руб.187,79руб.183,34руб.170,88руб.166,43руб.162,87руб.145,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней106,80руб.97,90руб.96,12руб.93,45руб.87,22руб.85,44руб.82,77руб.74,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней205,59руб.189,57руб.185,12руб.180,67руб.175,33руб.169,10руб.160,20руб.144,18руб.

Характеристики

AUIRF7103Q, Auto Q101 2Nкан 50В 3А SO8The AUIRF7103Q is a 50V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. The automotive MOSFET offers benchmark figure of merit performance and their design optimized to address key applications such as electric power steering, injection, micro hybrid and HEV.

• 175 C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Automotive qualified

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2n-канала