12а

2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

4,00 руб.

x 4,00 = 4,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней4,00руб.3,72руб.3,60руб.3,52руб.3,28руб.3,20руб.3,12руб.2,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней7,24руб.6,64руб.6,52руб.6,36руб.5,92руб.5,80руб.5,64руб.5,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней9,36руб.8,64руб.8,44руб.8,24руб.7,68руб.7,48руб.7,32руб.6,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней4,80руб.4,40руб.4,32руб.4,20руб.3,92руб.3,84руб.3,72руб.3,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней9,24руб.8,52руб.8,32руб.8,12руб.7,88руб.7,60руб.7,20руб.6,48руб.

Характеристики

2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]The 2N7002K-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers low Input and output leakage.

• 2R Low ON-resistance
• 2V Low threshold
• 25pF Low input capacitance
• 25ns Fast switching speed
• 2000V ESD Protection
• Halogen-free
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• Easily driven without buffer
• High-speed circuits
• Low error voltage

Дополнительная информация

Корпус

sot23

Структура

n-канал