774f8fa52006891df5162264d435ed55

2N6059, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

640,00 руб.

x 640,00 = 640,00
Артикул: 1129272 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней640,00руб.595,20руб.576,00руб.563,20руб.544,00руб.512,00руб.499,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.203,20руб.1.107,20руб.1.088,00руб.1.062,40руб.1.024,00руб.966,40руб.940,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.222,40руб.1.126,40руб.1.100,80руб.1.075,20руб.1.024,00руб.972,80руб.953,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней768,00руб.704,00руб.691,20руб.672,00руб.652,80руб.614,40руб.595,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.113,60руб.1.024,00руб.998,40руб.979,20руб.947,20руб.889,60руб.864,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней697,60руб.646,40руб.627,20руб.614,40руб.595,20руб.556,80руб.544,00руб.

Характеристики

2N6059, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В The 2N6059 is a 100V Silicon NPN Epitaxial Base Transistor in monolithic Darlington configuration intended for use in power linear and low frequency switching applications.

• High gain
• High current
• High dissipation
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• Multicomp products are rated 4.6 out of 5 stars
• 12-month limited warranty *view Terms & Conditions for details
• 96% of customers would recommend to a friend

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3
Рассеиваемая Мощность

150Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

12А
DC Усиление Тока hFE

100hFE
Частота Перехода ft

4МГц