Характеристики
2N5302G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 60 В The 2N5302G is a 30A NPN high-power Silicon Transistor suitable for use in power amplifier and switching circuits applications.
• Low collector-emitter saturation voltage (0.75VDC maximum VCE(sat) @ 10A DC IC)
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы