PSMN039-100YS, МОП-транзистор, N Канал, 28.1 А, 100 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

40,00 руб.

Артикул: 1134978 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	40,00руб.	37,20руб.	36,00руб.	35,20руб.	32,80руб.	32,00руб.	31,20руб.	28,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	72,40руб.	66,40руб.	65,20руб.	63,60руб.	59,20руб.	58,00руб.	56,40руб.	50,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	93,60руб.	86,40руб.	84,40руб.	82,40руб.	76,80руб.	74,80руб.	73,20руб.	65,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	48,00руб.	44,00руб.	43,20руб.	42,00руб.	39,20руб.	38,40руб.	37,20руб.	33,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	92,40руб.	85,20руб.	83,20руб.	81,20руб.	78,80руб.	76,00руб.	72,00руб.	64,80руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

PSMN039-100YS, МОП-транзистор, N Канал, 28.1 А, 100 В The PSMN039-100YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

• Improved mechanical and thermal characteristics
• High efficiency gains in switching power converters
• LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-669
Рассеиваемая Мощность	74Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	28.1А