Заполнитель

STW3N150, МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 1.5 кВ, 6 Ом, 10 В, 4 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

290,00 руб.

x 290,00 = 290,00
Артикул: 1133260 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней290,00руб.269,70руб.261,00руб.255,20руб.246,50руб.232,00руб.226,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней545,20руб.501,70руб.493,00руб.481,40руб.464,00руб.437,90руб.426,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней553,90руб.510,40руб.498,80руб.487,20руб.464,00руб.440,80руб.432,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней348,00руб.319,00руб.313,20руб.304,50руб.295,80руб.278,40руб.269,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней504,60руб.464,00руб.452,40руб.443,70руб.429,20руб.403,10руб.391,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней316,10руб.292,90руб.284,20руб.278,40руб.269,70руб.252,30руб.246,50руб.

Характеристики

STW3N150, МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 1.5 кВ, 6 Ом, 10 В, 4 ВThe STW3N150 is a PowerMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized intrinsic capacitances and Qg. This Power MOSFET designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.

• 100% Avalanche tested
• High speed switching
• Creepage distance path is 5.4mm

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

140Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

1.5кВ
Непрерывный Ток Стока

1.3А