16

SPD02N80C3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

98,00 руб.

x 98,00 = 98,00
Артикул: 1132998 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней98,00руб.91,14руб.88,20руб.86,24руб.80,36руб.78,40руб.76,44руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней177,38руб.162,68руб.159,74руб.155,82руб.145,04руб.142,10руб.138,18руб.124,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней229,32руб.211,68руб.206,78руб.201,88руб.188,16руб.183,26руб.179,34руб.160,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней117,60руб.107,80руб.105,84руб.102,90руб.96,04руб.94,08руб.91,14руб.82,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней226,38руб.208,74руб.203,84руб.198,94руб.193,06руб.186,20руб.176,40руб.158,76руб.

Характеристики

SPD02N80C3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В The SPD02N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for PC power, solar and adapter applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• Low specific ON-state resistance
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
• Field proven CoolMOS™ quality
• Periodic avalanche rated
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

42Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

2А